光伏招聘网 的简历
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简历编号:
基本信息
姓  名: 性  别: 年  龄:
出生日期: 婚  姻: 学  历:
现居住地: 户  口: 民  族:
目前岗位: 目前薪水: 工作年限:
求职意向
工作类型:
希望岗位:
待遇要求:
住房要求:
到岗时间:
希望地点:
自我评价
工作经验
(2011-2至今)
公 司 名: 上海采日光伏/研发事业部
公司性质: 私营企业
担任职位: 部长
工作描述: 决定公司研发策略
制订研发方案并予以实施
建立严格的研发项目计划,产品开发和技术转移流程
建立公司培训体系,完成多份先进光伏电池相关培训资料并对全公司员工进行培训
完成多项光伏电池相关专利
为客户进行产线诊断并提供解决方案
离职原因: 追求更好事业发展
(2006-3至2011-2)
公 司 名: 华虹NEC/先进工艺部/刻蚀部门
公司性质:
担任职位: 经理
工作描述: 2009/7-2011、2 华虹NEC/先进工艺部/刻蚀部门
在先进工艺部中,管理3个人的团队,在TD的相关项目中,承担在湿法清洗,灰化去胶和金属刻蚀等模块的工艺开发工作。
和工厂紧密合作,对TD的产品提供技术支持,确保本部门的产品能在生产线上顺利运作,对本团队负责的相关工艺出现的问题进行及时对应和解决。
进行TD已完成项目的对工厂的技术转移。
对TD新的项目,在本团队负责的工艺模块,进行新机器,新化学品,新的工艺规格和要求的制定和评价。
安排新人的培训计划,使他们尽快投入工作。
主管工程师
2006/3-2009/6 华虹NEC/先进工艺部/刻蚀部门/湿法工艺组
在先进工艺部们里,承担了湿法工艺模块的所有工作。包括新项目中湿法工艺的开发和维护,新的机器和材料的评价,TD产品的技术支持以及完成项目从TD向工厂的转移。
离职原因: 追求事业发展
(2005-1至2006-2)
公 司 名: 中芯国际/逻辑技术发展部门
公司性质:
担任职位: 工艺工程师
工作描述: 12/2005 – 2/2006 中芯国际/逻辑技术发展部门 北京
负责开发NiSi的RTP工艺.

6/2005 – 11/2005中芯国际/逻辑技术发展部门 上海
继续优化90NM后道的湿法清洗工艺,开始评价65 NM的后道湿法清洗工艺

1/2005 – 5/2005 中芯国际/FAB6 C 北京
参与北京300mm铜线的建设和90nm工艺的转移工作。在北京期间,为6厂建立了所有后道工艺的湿法清洗包括trench, via, passivation, aluminum pad and backside clean.
协助参与干法刻蚀的工作.
协助工厂日常值班.
离职原因:
(2003-8至2004-12)
公 司 名: 中芯国际/逻辑技术发展部门
公司性质:
担任职位: 工艺工程师
工作描述: 主要负责90nm后道铜线的清洗工艺的开发以及新的机器和材料的评价工作
参与组内其他工艺开发的工作包括 Furnace, RTP, Wet clean, etc.

研究助理
离职原因:
教育背景
学校 时间 专业 学历 证书
Michigan State University 1999-9至2003-7 微电子 化学工程 硕士
目标职能
语言能力
语言名称 掌握水平 听说水平 读写水平
英语 精通 精通 精通
日语 一般 一般 一般
项目经验
2011-2至2011-3
项目名称: 唐山中恒科技
项目描述: 参与中恒科技产线工艺提升项目
项目责任: 1. SPC系统的培训和建立,2.工艺问题点的查找和改进方案的建议,3. 数据分析方法的建立
2006-3至2011-2
项目名称: 华虹NEC 先进工艺研发
项目描述: 0.13 E-Flash, 0.13 SiGe HBT, 0.18 SiGe BICMOS 0.18 EEPROM, 0.35 SiGe BICMOS, Super Junction, 0.162 Logic, 0.35 BCD, DMOS, MEMS, etc
项目责任: 1. 为华虹NEC的项目开发先进的湿法工艺; 2. 完成对工厂的工艺转移; 3. 完成新项目开发或申请需要的新机台或新材料的建议,评价和展示; 4. 和PIE紧密合作对TD的产品出现的问题进行及时分析解决
2003-8至2006-3
项目名称: 中芯国际 工艺研发
项目描述: 0.09 Logic, 0.13 Logic.
项目责任: 责任: 1.为新项目开发后端铜线湿法工艺; 2.支持工厂新的铜线快速上马 3. 进行NiSi RTA的预研究
其他信息
特殊技能: 对晶体硅太阳能电池制作的各道工艺及主流设备有相当了解,精通太阳能电池的器件知识,对各种先进光伏电池的结构和制作过程有深刻理解。
研发项目制定,执行和管理
产线的工程管理
芯片制作过程中湿法清洗工艺的专家,对芯片制作的其他工艺有相当了解
掌握各种芯片的工艺集成和器件知识,包括Logic, NVM, DMOS, BCD, BJT,etc
语言:English (expert), Japanese (average)
其他:SPC,8D,FMEA,etc
荣誉: 中芯国际杰出工程师奖 2004 Q1
其他信息: 专利:
已授权专利CN 200510027043, CN 200510030301, CN 200610025648, CN 200810043327, CN 200610118548
已公告专利CN 200910057582, CN 200810043277,CN 200910057523,
CN200910057282,CN20091005726
另有多个专利还在申请中
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